本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度原位試驗(yàn)的要求和試驗(yàn)方法。本文件適用于采用微電子工藝制造的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度測試。 標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 42895-2023 標(biāo)準(zhǔn)名稱：微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法 英文名稱：Micro-electromechanical systems(MEMS）technology—Bending strength test method for microstructures of silicon based MEMS 起草人：張大成、楊芳、李根梓、顧楓、劉鵬、高程武、于志恒、王旭峰、李鳳陽、華璇卿、陳藝、劉若冰、張彥秀、萬蔡辛、武斌、曹萬、張賓、張啟心 起草單位：北京大學(xué)、中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、北京燕東微電子科技有限公司、無錫韋感半導(dǎo)體有限公司、深圳市美思先端電子有限公司、南京飛恩微電子有限公司、廣州奧松電子股份有限公司、上海臨港新片區(qū)跨境數(shù)據(jù)科技有限公司 歸口單位：全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 336)