本標準規(guī)定了太陽能級硅單品方棒、單品硅片的術語和定義、產(chǎn)品分類、原料要求、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸及貯存等。
本標準適用于制造太陽能電池基片的單晶硅方棒、單品硅片。？[第1頁] ICS 01. 040.27 F 12 DB13 河 北 省 地 方 標 準 DB13/T 1314-2010 太陽能級單晶硅方棒 、 單晶硅片 2010-11-15發(fā) 布 2010-11-25實 施 河 北 省 質(zhì) 量 技 術 監(jiān) 督 局 發(fā) 布 [第2頁] DB13/T 1314-2010 月 ij舀 本 標準 按IXAGB/T 1. 1-2009給 出的規(guī) 則起 草 。 本標準由邢臺市質(zhì)量技術監(jiān)督局提出4 本標準起草單位JIii龍實業(yè)集團有限公司 、 寧晉縣質(zhì)量技術監(jiān)督局 。 本標準主要起草人員J任丙彥 、 安增現(xiàn) 、 柳志強 、 顏志峰 、 劉彥朋 。 [第3頁] DB13/T 1314-2010 太陽能級單晶硅方棒 、 單晶硅片 范 圍 　　本標準規(guī)定了太陽能級硅單品方棒 、 單品硅片的術語和定義 、 產(chǎn)品分類 、 原料要求 、 技術要求 、 試 驗方法 、 檢驗規(guī)則 、 標志 、 包裝 、 運輸及貯存等‘ 　　本標準適用于制造太陽能電池基片的單晶硅方棒 、 單品硅片‘ 2規(guī)范性引用文件 　　卜列文件對于本文件的應用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 僅所注日期的版本適用于本文 件 。 凡是不注日期的引川文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改單 ） 適川于本文件 。 　　GB/T 1554硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法 　　GB/T 2828. 1計數(shù)抽樣檢驗程序第一部分J按接受質(zhì)量限SAQL ） 檢索的逐批撿驗抽樣計劃 　　GB/T 6618硅片厚度和總P1度變化測試方法 　　GB/T 6620硅片翹曲度非接觸式測試方法 　　GB/T 6624硅拋光片表面質(zhì)H.目測檢驗方法 　　GB/T 191包裝儲運圖示標志 3術語和定義 缺口indent 指貫穿單品硅片邊緣的缺損 。 3. 2 亮 邊 bright Point Edge 指單品硅片側(cè)棱上的連續(xù)缺損區(qū)域。 3. 3 崩 邊 edge crack 　　指單品硅片邊緣或表面未貫穿單品硅片的局部缺損區(qū)域 ， 當崩邊在單晶硅片邊緣產(chǎn)生時 ， 其尺寸由 徑向深度和周邊弦長給出 。 3.4 裂紋crack 指延伸到單晶硅片表面 ， 貫穿或不貫穿單品硅片厚度的解理或裂痕‘ [第4頁] DB13/T 1314-2010 3. 5 劃痕scratch 指單晶硅片在白熾燈或熒光燈下 ， 肉眼明顯可見的凹陷狀劃傷舀 3.6 線痕saw mark 指切割時在單品硅片表面留下的輕微不規(guī)則凹凸直線狀痕跡 。 3. 7 弧寬度偏差chamfer width departure 單晶硅方棒 、 單晶硅片的四個圓弧中所對應的最大弦長與最小弦長的差‘ 4產(chǎn) 品 分 類 4. 1分類 單uu硅方棒 、 單U,硅片按導電類型分為N型和P型兩種類型 。 4. 2規(guī)格 　　單品硅方棒、 單品ft片按直徑分為0127 mm, 0135 mm, 0 150 mm, (165 mm, (200 mm, 中220 mm 或由供需雙方商定規(guī)格：按單品硅方棒、 單品硅片的形狀和外形尺寸（ 注, aXa/￠見圖1, 單位mm ） 分為I 　100X 100/127, 103X 103/135, 125X 125/150, 125X 125/165, 156X 156/200, 156X 156/220或由供 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　需雙方商定規(guī)格。 ， 一 ‘ ’ 一 “ ’ ～ “ 、 　 　  　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ？ 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　  　 　 　 　 　 　 　  　 　 l 0一直徑 ； [第5頁] DB13/T 1314-2010 。 一 邊 長 ； L一弦長 。 單晶硅方棒斷面 、 單晶硅片表面形狀 4. 3等級 單晶硅片按I； ｝1質(zhì)等級分為J一級品 、 二級品 、 三級品 （ 具體分類標準見5.2.3) 5原料要求 原料應符合表1規(guī)定 。 　少了壽命 導 電 摻雜元 ； 晶 向 電阻率 　 氧 含 量 　 碳 含 量 “ 嚴 品 向 　 　 　 卜 幾 s atoms/cm' atoms/cm' 類 型 　素 方 式 偏 離 度 R.cm （ 斷 面 中 心 點 ） 個 川 　 /Cm 11硼 ） 1-3/ 3-6 315 <100> P型 Ga 。 ＜1p -0.95X 10E18 -5X 10E16 < 2 000 0. 5-6 310 （ 鎵 ） 0.5-3 3100 < 1X10E18 ＜3 000 。 <100> N 'i P （ 磷） ＜ 3’ < 5X 10E16 1.7-12 3300 <0.8X 10E18 ＜1 000 6技術要求 6.1太陽能級單晶硅方棒 6. 1. 1太陽能級單晶硅方棒缺陷 單 晶 硅 方 棒 不 得 有 孿 晶 線 、 層 錯 、 六 角 網(wǎng) 絡 、 亞 結(jié) 構(gòu) 、 夾 雜 、 空 洞 、 星 形 結(jié) 構(gòu) 等 缺 陷 （ 見GB/T 1554). 6. 1.2太陽能級單晶硅方棒幾何參數(shù) 應符合表2規(guī)定． 太陽能級單晶硅方棒幾何參數(shù) 　 loo x 　 103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 標 稱 規(guī) 格 ．mm 125/165 100/127 103/135 125/150 156/200 156/220 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 邊 長 偏 差 ， mm ， 士 127 135 150 165 200 220 直 徑 ， mm 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0. 5 直 徑 偏 差 ， mm ．士 100 100 100 100 100 100 單au硅方棒長度 ， min. > 單晶硅方棒的長度也可由供需雙方協(xié)商確定‘ [第6頁] DB13/T 1314-2010 6.1.3制造 按程序批準的文件或供需雙方協(xié)商公差范圍制造 。 6.1.4單晶硅方棒外觀 6.1.4.1棱 上 崩 邊 攤邊100 mm 以內(nèi)＞0. 1 mm,＜ 0.3 mm 的崩邊不多于3個。 6.1.4.2兩直邊垂直度 90 士 20' 6.1.4.3弧寬度偏差 ＜1.5 mm. 6. 1. 5單晶硅方棒表面質(zhì)量 　　單晶硅方棒表面經(jīng)過處理后 （ 化學處理或機械處理 ） ， 不允許出現(xiàn)肉眼能觀察到的明顯沾污 、 酸印 、 小坑 、 劃痕． 6. 2太陽能級單晶硅片 6.2. 1太陽能級單晶硅片的幾何參數(shù) 應符合表3規(guī)定 。 太陽能級單晶硅片的幾何參數(shù) 　loo x 　103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 標 稱 規(guī) 格 ， mm 100/127 103/135 125/150 125/165 156/200 156/220 0.3 0. 3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 邊 長 偏 差 ， mm ， 土 127 135 150 165 200 220 直 徑 ， mm 0.3 0.3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 直 徑 偏 差 ， mm ， 士 140, 150, 140, 150, 160, 170, 160, 170, 180, 190, 180, 190, 單 品 硅 片 厚 度 （ 中 心 點 ） ， pm 160, 170 160, 170 180, 190 180, 190 200, 210 200, 210 10 10 10 10 10 10 單晶硅片厚度允許偏差 ， μ m ， 士 單晶硅片厚度及厚度允許偏差也可由供需雙方協(xié)商確定 。 6.2.2太陽能級單晶硅片的外觀 、 表面質(zhì)量 應符合表4規(guī)定 。 [第7頁] DB13/T 1314-2010 太陽能級單晶硅片的外觀 、 表面質(zhì)量 項 目 一 級 品 二 級 品 三 級 品 (1 mmX0.5 mm) - (5 mm 缺 口 不 可 有 ＜(1 mmXO. 5 mm) X 3 mm) 單面41邊寬度 15 μ m. <25 pm >25 μ m. <70 μ m （ 深 度 ） 總厚度變 <25 μ m >25 μ m. <35 μ m >35 μ m. <70 μ m 化(TTV) 翹 曲 度 <30 pm >30 pm. <40 pm >40 μ m. <70 pm 表面有異常顏色 ， 表面有異常顏色． 色 斑 無目視可見色斑 面積小于硅片總面積的1/3 面積大于硅片總面積的1/3 硅片表面不允許有裂紋．目視無 凹坑 、 “v”型缺口 、 孔洞．無 硅片表面不允許有裂紋 ， 目視無凹 硅片表面不允許有裂紋 ， 目視無 表面質(zhì)量 硅膠殘留 ， 表面無沾污和異常斑 坑 、 “v”型缺口 、 孔洞 。 孔洞 。 點 。 7試驗方法 7. 1單晶硅方棒外觀 7.1.1棱上崩邊測量用讀數(shù)顯微鏡測量 。 7.1.2兩直邊垂直度測量川精確度為2'的萬能角度尺測量‘ 7.1.3弧寬度偏差測Ji:用精確度為0.02 mm 的游標k尺測量‘ 7.2單晶硅方棒的表面質(zhì)1=u 　　目視檢驗 ， 特殊情況下可用測最顯微鏡觀測 。 7. 3單晶硅方棒 、 單晶硅片的幾何參數(shù) [第8頁] DB13/T 1314-2010 單uir硅方棒 、 單uu硅片的幾何參數(shù)用精確度為0. 02 mm 的游標P尺測量 。 7.4單晶硅片外觀 7.4. 1單uuAI硅片厚度和總厚度變化按GB/T 6618進行‘ 7.4. 2單Il硅片翹 ！ #t！ 度按GB/T 6620進行4 7.4.3單uu硅片缺口、 崩邊用目測加讀數(shù)顯0鏡測U. 7.4.4單品硅片亮邊 、 劃痕用目測加精確度為0. 02 mm 的游標卡尺測量. 7.4.5單nuu硅片的線痕用精確度為0.001 mm 的千分表測k臺測量 。 7.4. 6單uu硅片的色斑為目視檢驗‘ 7. 5單晶硅片的表面質(zhì)量 按GB/T 6624進行。 檢驗規(guī)則 8.1檢驗分類 產(chǎn)品檢驗分出廠撿驗和型式檢驗兩類 。 出廠檢驗 8.1.1.1 4批產(chǎn)品出廠前須經(jīng)本公司質(zhì)檢部門檢驗合格后方可出廠 。 8.1.1.2單品fit方棒的出廠檢驗項目為J表面質(zhì)量 、 外觀 、 幾何尺寸 。 8.1.1.3單品硅片的出廠檢驗項目為J厚度 、 總厚度變化 、 翹曲度 、 外觀 、 表面質(zhì)量 、 兒何尺寸 、 弧 寬度偏差等 。 型式檢驗 8.1.2.1正常情況下 ， 每兩年進行一次型式檢驗 。 有下列情況之一時 ， 亦應進行‘ 原料 、 工藝有較大改變可能影響產(chǎn)品質(zhì)量性能時 ； 長期停產(chǎn)后恢復生產(chǎn)時 ； 出廠檢驗結(jié)果與上次型式檢驗結(jié)果有較大差異時 ； 國家質(zhì)最監(jiān)督部門提出型式檢驗要求時 。 型式檢驗項目為本標準規(guī)定的全部內(nèi)容 。 組批 產(chǎn)品應以批的形式提交驗收 。 同一牌號 、 同一規(guī)格的產(chǎn)品為一批月 抽 樣 單晶硅方棒 每批產(chǎn)品隨機抽取20％的試樣 ， 5根一9根晶棒抽取2個試樣 ， 5根uir棒以下抽取一個試樣 。 8.3.2單晶硅片 [第9頁] DB13/T 1314-2010 　　產(chǎn)品檢測按GB/T 2828. 1一般檢查水平11， 正常檢查一次抽樣方案進行 ， 或由供需雙方協(xié)商確定的 抽樣方案進行J見表5. 單晶硅片的檢測項目及接收質(zhì)量限 序 號 檢 驗 項 目 接收質(zhì)最限 （ AQL) 1.0 厚度偏差 2 1.0 總厚度變化 3 1.0 翹 曲 度 4 直徑及直徑偏差 1.0 5 2.5 參考面長度 （ 或直徑 ） 1.0 崩 邊 1.5 沾 污 2.0 深劃 、 亮邊 1.0 6 裂 紋 、 缺口 表面質(zhì)量 1.0 線 痕 色 斑 1.0 2. 5 累 計 9判定規(guī)則 0．1出廠檢驗 　　單品硅方棒 、 單品硅片出廠檢驗項目中若有一項不合格 ， 允許返工修復 ， 修復后復檢 ， 復檢合格則 判該批產(chǎn)品出廠檢驗某級別合格 。 9. 2型式檢驗 　　單品硅方棒 、 單品硅片全部檢驗項目判定合格則該產(chǎn)品型式檢驗合格 。 10標志 、 包裝 、 運輸和貯存 10. 1標志 10. 1. 1產(chǎn)品包裝應附有合格證明并標明以下內(nèi)容t 產(chǎn)品名稱 、 規(guī)格型號及數(shù)最 ； 產(chǎn)品執(zhí)行標準編號： 生產(chǎn)廠名 、 廠址 ； 生產(chǎn)日期或批號 ； 檢驗員 、 檢驗日期及合格印章等 。 10.1.2包裝標志還應應符合GB/T 191的要求 ， 應有“小心輕放” 、 “防潮” 、 “易碎”等字樣 或圖示標志 。 10. 2包 裝 [第10頁] DB13/T 1314-2010 　　產(chǎn)品采用聚苯烯 （ 泡沫 ） 或紙制品作內(nèi)包裝 ， 然后將經(jīng)過包裝的產(chǎn)品裝入包裝箱內(nèi) ， 并裝滿填充物 ， 防止產(chǎn)品松動‘ 10. 3運輸 產(chǎn)品在運輸過程中應輕裝輕卸 、 防震 、 防潮 ， 嚴禁擠壓 、 拋擲4 10.4貯存 產(chǎn)品應貯存在干燥 、 通風 、 清潔 、 無腐蝕的倉庫內(nèi) ， 防止日I炳雨淋 。