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GB/T 4060-2018 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法 Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method
- 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
- 標(biāo)準(zhǔn)大小:
- 標(biāo)準(zhǔn)編號:GB/T 4060-2018
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
- 更新時間:2023-08-18
- 下載次數(shù):次
標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基硼含量的測試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長的多晶硅棒中基硼含量的測定。基硼含量(原子數(shù))測定范圍為
0.01X1018cm-3~5X1015cm-3。
GB/T 4060-2018
代替GB/T 4060-2007
硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法
Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum
zone-melting method
2018-09-17發(fā) 布 2019-06-01實 施
廠 ? 氣 黯 膏 熹 轆 鼴 隳 欠 發(fā) 布
\ 淹 “
GB/T 4060-2018
月 明 呂
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 1.1-2009給出的規(guī)則起草 。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 4060-2007《 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法 》 , 與GB/T 4060-2007相比 , 除編
輯性修改外主要技術(shù)變化如下:
— —增加了規(guī)范性引用文件GB/T 620-2011,GB/T 626-2006 , GB/ T 11446.1-2013,GB/T 25915.1-
201
標(biāo)準(zhǔn)截圖
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