本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法。
本文件適用于晶面偏離｛0001｝面、偏向＜1120＞方向0°~8°的碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試。GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide 2022-10-12發(fā) 布 2023-05-01實(shí) 施 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局‘j～～ 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)及『 GB/T 41765-2022 刖 胃 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則 》 的規(guī)定 起草 。 　　請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 。 本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任 。 　　本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) （ SAC/TC 203） 與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn) 化 技 術(shù) 委 員 會(huì) 材 料 分 技 術(shù) 委 員 會(huì) （ SAC/TC 203/SC 2） 共 同 提 出 并 歸 口 。 　　本文件起草單位：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司 、 有色金屬技