本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于｛100｝、{111｝面砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試，測(cè)試范圍為0cm^-2_~100000cm^-2。 GB/T 8760-2020 代替GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide 2020-09-29發(fā) 布 2021-08-01實(shí) 施 鼴 鼷 魏 鞲 艘 髂 ‘ “ GB/T 8760-2020 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 一 　 前 　 　 　 　 　 而 　　本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 1.1-2009給出的規(guī)則起草． 　　本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 8760-2006《 砷化稼單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法 》 ．本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 8760-2006 相比 ， 除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下： 　　 — —修改了標(biāo)準(zhǔn)范圍中的規(guī)定內(nèi)容和適用范圍 （ 見第1章 ， 2006年版的第1章 ） ‘ 　 　 — — 增 加 了 規(guī) 范 性 引 用 文 件 （ 見 第2章 ） ； 　　 — —?jiǎng)h除