本文件規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm和300mm、晶向＜100＞、電阻
率0.1Ω·cm-100Ω·cm的Low-COP拋光片。GB/T 41325-2022 集成電路用低密度晶體原生凹坑 　 　 　 　 　 硅 單 晶 拋 光 片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for 　　　　　　　　　　　　　　　integrated circuit 2022-03-09發(fā) 布 2022-10-01實 施 艙 胃 熬 毓 鞴 黯 欠 發(fā) 布 副 擤e‘： ！ 偽 GB/T 41325-2022 月 u旨 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則 》 的規(guī)定 起草 。 　　請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 。 本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任 。 　　本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 （ SAC/TC 203） 與全國半導(dǎo)體設(shè)備