GB/T 4937的本部分對(duì)已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行⁶⁰Co γ射線源電離輻射總劑量試驗(yàn)提供了一種試驗(yàn)程序。
本部分提供了評(píng)估低劑量率電離輻射對(duì)器件作用的加速退火試驗(yàn)方法。這種退火試驗(yàn)對(duì)低劑量率輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時(shí)變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的。
本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。
本部分主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用。
本試驗(yàn)可能會(huì)導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴(yán)重退化，因而被認(rèn)為是破壞性試驗(yàn)。/T 4937.18-2018/IEC 60749-18:2002 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第18部分：電離輻射 （ 總劑量 ） Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods- 　 　 　 　 　 　 Part 18: Ionizing radiation(total dose) (IEC 60749-18:2002 , IDT) 2018-09-17發(fā) 布 2019-01-01實(shí) 施 ， 嚴(yán) 氣 累 齠 熹 轆 矗 黯 晷 發(fā) 布 ＼ 避 蟄 　 　 　 中 華 人 民 共 和 國(guó) 　 　 　 　 　 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) 半 導(dǎo) 體 器 件 機(jī) 械 和 氣 候 試 驗(yàn) 方 法 　 第 18部 分 ：電 離 輻 射 （ 總 劑 量 ） GB/T 4937.18-2018/IEC 60749-18:2002 　　　　中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行 　　北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲2號(hào) （ 1