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GB/T 41325-2022集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit GB/T 41325-2022集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

GB/T 41325-2022集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別：[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小：
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 41325-2022
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 更新時間：2022-10-26
  • 下載次數(shù)：次
標(biāo)準(zhǔn)簡介

本文件規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片(以下簡稱Low-COP拋光片)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm300mm、晶向<100>、電阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP拋光片。

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