本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF6710705《硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF6710705相比主要有如下變化:---標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)格式按GB/T1.1要求進(jìn)行編寫(xiě);---增加了前言?xún)?nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13387-1992《電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13387-1992相比主要有如下變化:---細(xì)化了測(cè)量范圍的內(nèi)容,如該方法中涉及的公英制單位等;---增加了該方法的局限性?xún)?nèi)容;---增加了部分術(shù)語(yǔ),定義了測(cè)量中用到的偏移;---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);---將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣改為抽樣章節(jié);---將校準(zhǔn)和測(cè)量分為兩章分別敘述;---精密度采用了SEMIMF6710705中多個(gè)實(shí)驗(yàn)室間的評(píng)價(jià),并附有較詳細(xì)的說(shuō)明。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T13387-1992。