本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF11881105《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原子含量的標(biāo)準(zhǔn)方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:---增加了測量點(diǎn)選取方案;---標(biāo)準(zhǔn)編寫按GB/T1.1格式,部分SEMI標(biāo)準(zhǔn)中的章節(jié)進(jìn)行了合并和整理。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14144-1993《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:---氧含量測量范圍進(jìn)行了修訂;---增加了測量儀器、術(shù)語和干擾因素章節(jié);---增加了采用經(jīng)認(rèn)證的硅中氧含量標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)對光譜儀進(jìn)行校準(zhǔn)的內(nèi)容;---將原標(biāo)準(zhǔn)中本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶體改為本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶;---樣品厚度范圍修改為0.04cm~0.4cm。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:楊旭、江莉。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T14144-1993。