GB/T16935《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合》分為以下4個部分:———第1部分:原理、要求和試驗;———第3部分:利用涂層、罐封和模壓進(jìn)行防污保護(hù);———第4部分:高頻電壓應(yīng)力考慮事項;———第5部分:不超過2mm 的電氣間隙和爬電距離的確定方法。本部分是GB/T16935的第4部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分使用翻譯法等同采用IEC60664-4:2005《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第4部分:高頻電壓應(yīng)力考慮事項》。本部分應(yīng)與GB/T16935.1—2008《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第1部分:原理、要求和試驗》(IEC60664-1:2007,IDT)及GB/T16935.5—2008《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第5部分:不超過2mm 的電氣間隙和爬電距離的確定方法》(IEC60664-5:2007,IDT)配合使用。本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本部分由全國低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC417)歸口。本部分起草單位:上海電器科學(xué)研究院。本部分主要起草人:章建兵、包革、吳慶云。