本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF1724-1104《采用酸萃取原子吸收光譜法測量多晶硅表面金屬沾污》。本標(biāo)準(zhǔn)對SEMIMF1724-1104格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄C 中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和SEMIMF17241104章條對照一覽表。并對SEMIMF17241104條款的修改處用垂直單線標(biāo)識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF17241104相比,主要技術(shù)差異如下:---去掉了目的、關(guān)鍵詞。---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分作為資料性附錄B。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B和附錄C 為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:褚連青、王奕、魏利潔。