GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
- 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
- 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
- 標(biāo)準(zhǔn)編號:GB/T 1553-2009
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
- 更新時間:2022-06-10
- 下載次數(shù):次
標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法》。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:---新增加少子壽命值的測量下限范圍;---刪除了有關(guān)斬切光的內(nèi)容;---本標(biāo)準(zhǔn)將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測試儀器并為第6章測量儀器;---本標(biāo)準(zhǔn)增加了術(shù)語章和體壽命的解釋;---本標(biāo)準(zhǔn)在干擾因素章增加了對各干擾因素影響的消除方法。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:江莉、楊旭。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。
標(biāo)準(zhǔn)截圖
版權(quán):如無特殊注明,文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),侵權(quán)請聯(lián)系cnmhg168#163.com刪除!文件均為網(wǎng)友上傳,僅供研究和學(xué)習(xí)使用,務(wù)必24小時內(nèi)刪除。
熱門推薦
-
GB/T 1094.1-2013電力變壓器 第1部分:總則 2022-06-10
-
GB/T 706-2016熱軋型鋼 2022-06-10
-
JB/T 10216-2013電控配電用電纜橋架 2022-06-10
-
GB/T 10801.2-2018絕熱用擠塑聚苯乙烯泡沫塑料(XPS) 2022-06-10
-
JTG D20-2017公路路線設(shè)計規(guī)范 2022-06-10
