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GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號:GB/T 1553-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時間:2022-06-10
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法》。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:---新增加少子壽命值的測量下限范圍;---刪除了有關(guān)斬切光的內(nèi)容;---本標(biāo)準(zhǔn)將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測試儀器并為第6章測量儀器;---本標(biāo)準(zhǔn)增加了術(shù)語章和體壽命的解釋;---本標(biāo)準(zhǔn)在干擾因素章增加了對各干擾因素影響的消除方法。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:江莉、楊旭。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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