本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1554-1995《硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T1554-1995相比,主要有如下變化:---增加了本方法也適用于硅單晶片;---增加了術(shù)語和定義、干擾因素章;---第4章最后一句將用肉眼和金相顯微鏡進(jìn)行觀察修改為用目視法結(jié)合金相顯微鏡進(jìn)行觀察;---將原標(biāo)準(zhǔn)中表1四種常用化學(xué)拋光液配方刪除,對(duì)化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修改,刪除了乙酸配方;并將各種試劑和材料的含量修改為等級(jí);增加了重量比分別為50%CrO3 和10%CrO3標(biāo)準(zhǔn)溶液的配比;增加了晶體缺陷顯示常用的腐蝕劑對(duì)比表;依據(jù)SEMIMF18090704 增加了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對(duì)比表;---第9章將原GB/T1554-1995中(111)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時(shí)間改為了10min~15min;(100)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣和電阻率小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時(shí)間全部改為10min~15min;增加了(110)面缺陷顯示;增加了對(duì)重?fù)皆嚇拥娜毕蒿@示;在缺陷觀測(cè)的測(cè)點(diǎn)選取中增加了米字型測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅(jiān)、劉陽。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1554-1979、GB/T1554-1995。---GB4057-1983。